职位要求：

1、功率半导体相关工作经验三年（含）以上，熟悉IGBT、FRD、 MOSFET等功率半导体的产品开发流程；

2、具有Wafer Fab实际经验和IGBT、 FRD 、MOSFET等功率半导体产品的实际开发/生产经验；

3、熟悉版图设计(Layout Design)和器件仿真(TCAD Simulation)；

4、具有项目实施能力、主动沟通能力及团队协作能力。

岗位职责：

1、进行IGBT、 FRD 、MOSFET等功率半导体的器件及工艺仿真,版图设计和工艺流程制定；

2、器件封装，测试，特性及失效分析；

3、工艺和设计方案优化，提高产品性能及良率；

4、从产品定义到开发计划的实施以至定型量产的项目现场管理。