主要职责： 1、编写详细的芯片架构规范，设计方法开发和优化；； 2、与芯片设计、核查和验证团队合作，指导成功的产品实施； 3、使用行业标准工具进行晶体管级设计、模拟和布局； 4、开发自动化布局和验证流程。 工作要求: 1、硕士及以上学历，计算机科学、电气与电子工程、材料科学等相关专业； 2、至少2年非易失性内存芯片设计（FeRAM_ MRAM_ PCM_ ReRAM 或 Flash ）的经验，嵌入式和/或独立内存芯片； 3、RTL 设计（Verilog 或 VHDL）经验，以及使用模拟器和调试工具的经验； 4、具有逻辑综合、可测试设计 (DFT) 插入和前段验证方面的经验； 5、具有物理综合和物理版图验证方面的经验； 6、具有先进 FinFET 节点中的低功耗存储芯片设计经验； 7、了解主流存储芯片的结构和问题，了解可测试设计 (DFT)、良率和可制造性设计 (DFM) 问题。