岗位职责：
1. 熟悉III-V族化合物半导体GaAs/InP材料特性，负责后段键合/减薄/抛光工艺调试及良率提升；
2. 负责产品开发过程中工艺技术支持及新工艺的导入；
3. 负责进行本工序工艺优化及异常工艺处理；
4. 建立相关的作业指导书与技术标准文件，对现场操作人员进行相关的操作培训。
任职资格：
1. 本科及以上学历，专业方向（微电子、材料、化学、半导体物理、光电等专业）；
2. 具备半导体管芯后段减薄、抛光、键合/解键合、AOI等相关经验；
3. 拥有3年及以上化合物半导体芯片后段薄片工艺经验，熟悉GaAs、GaN等化合物后段工艺；
4. 工作负责认真，执行力强，有良好的逻辑思维能力以及问题分析和解决能力，能独立开展新工艺研发和验证工作。