岗位职责：
1.研制具有竞争性的器件及相关技术；
2.有效地设计外延及器件结构，参与器件性能的提升；
3.掌握GaAs及InP激光器制作工艺；
4.掌握器件的测试、FA等分析方法。
任职要求：
1.微电子、物理学、材料物理专业，硕士及以上学历，有直接工作经验者学历可放宽；
2.具有5-10年工作经验要求，高学历者可放宽工作年限；
3.了解半导体工艺制造流程、半导体器件，熟悉仿真工具和版图设计软件。