任职资格：

1、本科及以上学历，微电子、半导体材料、材料物理与化学、等离子体等专业；

2、具有三年以上相关工作经验，熟使用PECVD和RIE设备工艺开发;

3、具备解决问题的能力，统计调查分析能力，善于发现并解决问题;

岗位职责:

1、独立负责深硅刻蚀工艺的研发，使用PECVD和RIE设备工艺开发;

2、完成机台的正常操作和日常维护工作;

3、独立负责刻蚀工艺研发，完成不同形状、不同深宽比深硅刻蚀工艺的研发，能够调整深硅刻蚀的垂直角度等;

4、利用氧化硅和氮化硅等常用介质膜的生长工艺，调控介质膜生长温度、均匀性和沉积速率等工艺;

6、执行、优化工艺流程、工艺参数及产品标准，解决客户现场问题;