职责描述：
1. 负责嵌入式存储器单元的开发，根据工艺平台的特点，设计MTP/OTP/eFlash等存储单元结构并验证；
2. 与电路设计人员合作完成macro验证；并与TD等工艺开发人员合作解决优化Cell、macro等在开发验证过程中出现的问题;
3. 负责嵌入式存储器单元的电性表征，如MOSFET/BJT/MTP/OTP/Flash/eFuse等电学特性数据收集，并提供相应的分析报告；
4.评估制定第三方NVM技术整体引入考核验证的技术方案等;
任职要求：
1. 本科及以上学历，微电子、电子工程、通信相关专业；
2. 熟悉半导体工艺、半导体器件物理，有foundry或IDM工作经验或对电路架构以及memory IP测试方案有一定了解者优先
3. 熟悉半导体器件分析仪，有B1500等经验者优先；
4. 熟悉foundry Electrical design rule, topological design rule；