1. 了解功率半导体器件基本原理及工艺流程；

2. 光刻、刻蚀、测试与分析设备的操作（熟悉其中一项或多项均可）；

1）光刻：需熟悉stepper光刻机、晶圆级光刻机等的操作，亚微米级套刻工艺（精度0.4um)。

2）刻蚀：需熟悉氮化镓ICP刻蚀等设备。

3）测试与分析：熟悉氮化镓HEMT器件电学性能的测试分析，要求熟悉HEMT器件原理和IV特性等，并能够对失效结果进行独立分析并提出工艺改进方法。

3. 对光刻和刻蚀设备有深入了解及有相关工艺优化开发基础的优先；

4. 了解GaN功率器件的基本原理以工艺流程；

5. 物理、化学、材料、光电、电子等相关专业；

6. 工作地点：厦门大学翔安校区。

7. 工资待遇面议。