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深资研发工程师 已下线
2-4万
厦门芯一代集成电路有限公司
厦门
5-10年
硕士
02-24
工作地址

万翔国际商务中心

职位描述

岗位职责:

1、主导或参与中低压功率器件Trench MOS/SGT研发项目,负责新产品的工程开发与项目可行性分析;

2、功率器件(Trench MOS/SGT)器件结构设计和仿真模拟;

3、与Foundry厂进行技术沟通,制定工艺流程、DOE方案、测试SPEC制定等;

4、负责项目进度跟进、数据整理分析、失效分析、工程报告产出等;

5、根据需求进行产品优化升级、性能改善及良率提升;

6、整理相关技术文件,并及时归档;

7、掌握功率器件电性参数及可靠性测试方法;

8、熟悉功率器件封装形式;

9、负责竞品逆向分析、性能对比及报告整理;

10、研发项目的专利申请及相关文件编写。

岗位要求:

1、从事TRMOS/SGT研发相关专业3年以上;

2、熟悉半导体物理与器件物理原理,有扎实的功率器件物理基础,熟悉功率器件的工艺流程;

3、具有实际TRMOS/SGT开发经验,且本人开发的产品有销售和应用的案例;

4、有功率器件设计经验,熟练使用版图设计软件;

5、有功率器件仿真经验,熟练使用Sentaurus、Silvaco等仿真软件;

6、能独立完成Trench MOS/SGT 芯片设计与开发;

7、了解Trench MOS/SGT产品市场应用需求。

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以担保或任何理由索取财物,扣押证照,均涉嫌违法,请提高警惕

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