职位描述
1. 进行基于DRAM制程的HKMG工艺平台整合研发工作。与Design和Device Team根据高性能DRAM的产品需求,提炼出对器件的关键尺寸要求,电性要求和可靠性要求;领导Device以及Module等研发部门通过技术创新,新机台引进,开发出适用于DRAM工艺平台high thermal budget特点的器件。
2. 开发HKMG 工艺的PDK (Design Rule, EDR, Device Model…) 应用到N ,N+1, N+2 代DRAM 平台,同时整合优化制程与前后道工艺实现兼容,最终实现高速低漏电的电学性能,高可靠性的终端产品要求。
3. 新产品导入以及良率提升。 从与design合作开始参与新产品设计评估;与tape out team 合作设计testkey, tape out光罩;与制程和生产部门合作pilot run;不断进行工艺整合的优化升级,提升电学性能,可靠性能以及良率
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