岗位职责
3.负责MEMS、POWER MOS、emflash、HVIC、BCD、High voltage、LOGIC、POWER MOS、DMOS、IGBT、TVS、GaN等产品平台的工艺优化、器件性能改善、良品率提升。
职位要求
1.本科及以上学历； 2.微电子相关专业优先；3、具备良好的英语及计算机能力；4、善于沟通，抗压能力强；
工作地点
中国 江苏 无锡市