岗位职责：
1、负责设计并开发GaN/SiC等宽禁带半导体工艺流程。
2、负责完成工艺研发与优化、器件结构设计。
3、负责完成科研&外协项目合作。
4、完成领导安排的其他任务。

岗位要求：
1、学历要求：本科及以上学历，英语四级以上。可接受优秀应届硕士。
2、专业要求：微电子、物理、材料、微波等相关专业。
3、经验要求：3年以上半导体工艺相关工作经验。
4、了解半导体基础知识、基本工艺，熟悉半导体器件物理。
5、了解半导体工艺，学过数电模电课程，有GaN HEMT工艺经验或电路设计经验优先。
6、做事细心、责任心强、吃苦耐劳、具备较强的求知欲，有团队精神。