工作内容：

1、负责各种功率器件（IGBT，MOSFET，FRD等）的技术开发工作；

2、负责功率芯片的仿真，版图设计及工艺设计；

3、负责产品开发试验的制定及实施；

4、负责产品测试规范的制定，测试实验，测试数据分析及失效分析；

5、配合终端要求解决客户反馈的技术问题；

6、根据行业及技术前沿，负责各种新技术，新产品的开发工作；

7、完成领导交办的其他工作。

任职资格：

基本要求（学历、专业、年龄）：

本科及以上学历，微电子/物理/电子/半导体等相关专业优先，25-35岁。

从业经历：

3年以上经验，有产品或项目开发经验，熟悉半导体器件和工艺技术。

专业技能：

1、熟悉IGBT、MOS等功率半导体器件的性能和特点；

2、掌握一种以上器件仿真及版图设计工具；

3、精通电子技术，有扎实的电子电路理论基础。

4、具有良好的沟通能力和团队协作能力，英语熟练。

5、具备较强的数据分析能力，能熟练使用相关软件。