任职要求：
1、对半导体功率器件基本原理有扎实的功底，对功率MOS芯片设计技术、光刻版设计技术有优良的掌握；
2、熟练应用功率芯片设计软件（如sentaurus、silvaco、MEDICI）、光刻版设计软件（如L-edit）；
3、具有600V以上功率MOS超结结构芯片设计经验，或具有100V以上功率MOS SGT结构芯片设计经验，具有成功流片形成芯片产品的经验。
4、具有指导团队研发超结、SGT等新型功率MOS芯片产品的经验和能力。
6、责任心强，工作认真、仔细；
7、具备创新思维和创造力，能够提出新颖的想法和解决方案；
8、有良好的团队合作能力、表达能力、沟通协调能力和学习总结能力；
9、热爱技术、注重工作效率、有自我驱动力；
10、有适应能力，能够快速适应新环境、新任务、新要求。
岗位职责
1.根据芯片设计要求，负责芯片工艺流程、结构、版图设计；
2.负责光刻版制作、外协流片的技术沟通；
3.负责芯片的失效分析和改进。
4、负责带领团队快速形成超结、SGT等新型MOS芯片研发能力，并形成系列芯片产品。
经录用待遇从优，五险一金，可享受员工培训、节日福利、餐饮补贴、租房补贴、取暖补贴、高温津贴、交通补贴等。