岗位职责：
1、负责GaN器件、准单片及单片技术开发；
2、负责GaN器件各类高效功放的设计与调试，Doherty电路设计与调试；
3、参与项目的技术指标沟通、产品问题解决、技术支持和实效分析；
4、负责射频电路设计仿真、版图实现、测试方案制定及产品技术文档编制。
任职要求：
1、硕士及以上学历。
2、电磁场与微波技术、集成电路工程、微电子与固体电子学、电路与系统、电子与通信工程、电子科学与技术、物理电子学等相关专业；
3、具备扎实的电磁场理论基础，熟悉射频电路的基本理论与应用，熟练使用相关工程设计辅助工具。
4、熟悉GaN半导体工艺，有射频芯片流片经验者优先。