岗位职责：
1.负责IGBT、MOSFET、Diode等功率器件的仿真设计、版图设计与制程整合；
2.负责设计方案的制定及数据分析，以达到产品需求为目标；
3.配合应用终端需求，解决反馈的技术问题；
4.进行前沿技术和产品的调研工作。
任职要求：
1.本科以上学历，微电子学、物理学、电子科学技术、材料物理、微电子学与固体电子学、凝聚态物理等相关专业毕业，具有扎实的半导体器件物理基础；
2.有3年以上功率半导体器件设计经验，有成功的600V~1200V IGBT/ MOSFET/FRD/SiC等产品开发及量产流片经验；
3.熟悉功率器件产品的晶圆流程及制程条件，有国内外晶圆厂或封装厂制程整合/产品开发经验者优先；
4.掌握工艺和器件仿真软件（如Tsuprem4、Sentaurus、Silvaco、MEDICI等）使用, 掌握版图工具Cadence或Tanner EDA或Mentor Graphics等软件，能独立完成工艺和器件的仿真，参数提取，方案整理及版图设计和Mask Tape Out流程；
5.强烈的团队合作意识及工作责任感，良好的逻辑分析能力和抗压能力。
职位福利：五险一金、交通补助、带薪年假、定期体检、节日福利、绩效奖金、餐补