关于我们 远山新材料科技有限公司成立于2017年,注册资本2亿元,是一家专注于第三代半导体氮化镓(GaN)材料与器件研发制造的高科技企业,总部位于山东济宁。 我们的核心优势: 1.技术渊源深厚:公司由A股上市公司德尔股份(股票代码:300473)旗下半导体产业基金与日本PowDec株式会社合资设立。日方创始人河合弘治先生深耕氮化半导体领域近30年,与诺贝尔物理学奖得主天野浩教授长期合作研究,团队掌握全球领先的GaN-on-SiC、GaN-on-Si外延技术。 2.赛道前景明确:我们聚焦新能源汽车用功率器件及射频器件市场,产品直接服务于国产替代需求,客户涵盖国内头部车厂及通信设备商。 3.成长空间可期:公司处于量产爬坡关键期,核心技术人员可直接参与从工艺开发到量产导入的全流程,对个人技术视野和履历积累价值极高。
如果你希望在第三代半导体最前沿的赛道上快速成长,这里会比成熟大厂给你更大的舞台。"。